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技術(shù)交流

光伏電池工藝介紹:P型電池、N型電池、TOPCon技術(shù)工藝

發(fā)布時間:2023/7/23
  光伏電池是利用光電效應(yīng)將太陽光轉(zhuǎn)化為電能的一種設(shè)備,并且不產(chǎn)生任何污染物,屬于如今主流的可再生能源。光伏發(fā)電太陽能電池分為P型電池和N型電池。P型電池指的是以P型硅片為襯底的電池片(P型硅片摻硼元素)。N型電池指N型硅片為襯底的電池片(N型硅片摻磷元素)。
  P型電池和N型電池在SE激光摻雜工藝中進行摻入不同的元素而得到不同種類的電池片。
  以下本文主要介紹N型電池TOPCon技術(shù)工藝。
  1.檢驗工序
  檢驗硅片原料是否有破損和開裂等現(xiàn)象。
  2. 制絨酸洗
  采用堿性或酸性溶液在硅片上腐蝕出凹凸不平的表面,使光可以在太陽能電池片表面多次折射。硅片切割后其邊緣有損傷,硅的晶格結(jié)構(gòu)被破壞、表面復(fù)合嚴(yán)重,清洗制絨主要目的在于去除表面損傷并形成表面金字塔陷光結(jié)構(gòu)、增加光線吸收。
  3. 硼擴散工序
  擴散工序為核心工序,主要作用是制備PN結(jié)(生成P-N結(jié)),P-N 結(jié)是光伏電池的“心臟”。由于硼在硅中的固溶度低,因此需要高溫和更長的時間進行擴散。同時,擴散源的選擇對生產(chǎn)過程也會有影響,氯化物腐蝕性較強,溴化物黏性大,清洗過程繁瑣、增加運維費用。硼擴散通常在較高的溫度下完成,一般超出1000℃,硼擴散的循環(huán)時間為150min。
  4. 摻雜工序(SE激光摻雜)
  摻雜工序為核心工序,SE激光摻雜是一種利用激光輻射來改變材料性質(zhì)的技術(shù)。它是一種非常有效的方法,可以在材料表面或體內(nèi)引入摻雜原子,形成重摻雜區(qū),提高光電轉(zhuǎn)換效率。PERC(P型電池) SE工序中是摻硼,而TOPCON(N型電池) SE工序中是摻磷。
  為什么要摻雜工藝,由于純凈的半導(dǎo)體導(dǎo)電性較差,不能直接用來制造晶體管。于是,人們在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)元素,使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能大大增強,這種半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。根據(jù)摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同,雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為,P型半導(dǎo)體(或空穴型半導(dǎo)體)和N型半導(dǎo)體(或電子型半導(dǎo)體)兩大類。這里"P”是指”正”的意思,“N“是指”負”的意思。
  當(dāng)PN結(jié)加上正向電壓時有較大的電流通過,正向電阻很小,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)PN結(jié)加上反向電壓時只有很小的電流通過,或者粗略地認(rèn)為沒有電流通過,反向電阻很大,PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。這就是PN結(jié)的重要特性-一單向?qū)щ娦浴倪@里可以看出,PN結(jié)具有單向?qū)щ娦缘年P(guān)鍵是它的阻擋層的存在,及其隨外加電壓而變化。
  5. 刻蝕工序
  刻蝕的主要作用為去除 BSG 和背結(jié)。擴散過程會在硅片表面及周邊均形成擴散層,周邊擴散層容易形成短路,表面擴散層影響后續(xù)鈍化,因此需要去除。目前刻蝕主要采用濕法,先在鏈?zhǔn)皆O(shè)備中去除背面與周邊擴散層,之后處理正面。
  6. 制備隧穿氧化層與多晶硅層
  背面沉積 1-2nm 隧穿氧化層,之后沉積 60-100nm 多晶硅層形成鈍化結(jié)構(gòu)。
  7. 制備背面減反射膜
  在電池背面制備減反射鈍化膜層增加對光的吸收,同時,在 SiNx 薄膜形成過程中產(chǎn)生的氫原子對硅片具有鈍化作用。
  8. 正面鍍氧化鋁
  在硅片正面沉積一層氧化鋁膜層,與其他膜層共同形成正面鈍化作用。
  9. 制備正面減反射膜
  正面減反膜與背面作用基本相同,此外,正面沉積的氧化鋁薄膜非常薄,容易在后續(xù)電池組件的制作中被破壞,正面 SiNx 對氧化鋁也具有保護作用。
  10.激光開槽
  電池片激光開槽能夠?qū)⒈趁驸g化膜打穿但不會對硅片造成明顯的損傷,使整個硅片基體明顯暴露出來,并且平整光滑,無明顯的激光脈沖腐蝕痕跡,從而提供電池片發(fā)電轉(zhuǎn)換效率。
  11.絲網(wǎng)印刷
  采用激光轉(zhuǎn)印技術(shù),絲網(wǎng)印刷制備前后電極。
  12. 燒結(jié)
  干燥硅片上漿料,燃燒掉漿料中的有機樹脂粘合劑。
  13. 測試分選
  測試分選工序,根據(jù)測試出的功率及外觀質(zhì)量獎太陽能電池片分成A+、A、B、C、D五個等級。
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